Samsung sembra essere intenzionata ad esplorare con maggiore attenzione il settore MRAM, Magnetosensitive Random-Access Memory. Si tratta di una soluzione diversa dalle memorie DRAM in quanto a differenza di queste ultime che memorizzano i dati solo in presenza di una carica elettrica (da qui il termine volatile), le MRAM sono memorie non volatili che sfruttano l’effetto magnetoresistivo per memorizzare le informazioni come campo magnetico.
In termini pratici, le MRAM presentano diversi vantaggi, primi su tutti una maggior velocità rispetto alle altre soluzioni volatili (non deve cancellare i dati prima di riscriverli, risparmiando tempo) e un ridotto consumo energetico. Nonostante si tratti di una tecnologia esistente da tempo – addirittura dal secolo scorso, poi ripresa alcuni anni fa a seguito di una partnership tra Stati Uniti e Giappone ma mai sfociata in qualcosa di concreto – non è ad oggi stata implementata per la produzione di massa.
Sarebbe proprio questo uno dei punti deboli della tecnologia, poco adatta per le sue proprietà intrinseche a raggiungere volumi consistenti: questo era successo ad esempio un paio di anni fa, quando Samsung aveva iniziato a commercializzare la sua prima soluzione MRAM realizzata con processo FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) a 28nm.