Samsung potrebbe iniziare a testare la produzione in massa su nodo di prossima generazione a 3 nm già questa settimana, stando alla testata tecnologica sudcoreana The Elec. La notizia giunge a poche ore appena dalla presentazione da parte di Arm dei nuovi design delle CPU e GPU dei SoC mobile per il 2023, che verosimilmente saranno tra i primi prodotti a essere fabbricati in larga scala. Non i primi in assoluto, però: a quanto pare il primo cliente sarà una società cinese, chiamata PanSemi, che si occupa di realizzare hardware per l’estrazione di bitcoin.
Il processo implementerà la tecnologia GAA (Gate-All-Around) FET (Field Effect Transistor): sostanzialmente, il materiale isolante per la corrente è distribuito su quattro lati del semiconduttore in silicio, mentre nel precedente FinFET era su tre lati. Indiscrezioni risalenti a un paio di mesi fa dicevano che Samsung avesse problemi di resa addirittura inferiore rispetto al processo a 4 nm, che era già molto basso – 35% contro il 70% di TSMC (uno dei motivi principali per cui Qualcomm sarebbe passata da Samsung a TSMC per Snapdragon 8 Plus Gen 1).
La fonte non fornisce indicazioni sull’eventuale risoluzione di questi problemi da parte di Samsung, ma aggiunge un dettaglio interessante: dopo il passaggio a TSMC, Qualcomm non ha tagliato completamente i ponti. Anzi, avrebbe già opzionato un po’ di ordini, giusto in caso TSMC avesse problemi. I due colossi sarebbero addirittura rimasti d’accordo che Qualcomm potrà valutare e visionare l’andamento degli impianti quando vorrà. Per contesto, è bene ricordare che in passato Qualcomm era passata da TSMC a Samsung per problemi analoghi – anzi, chi c’era e ricorda l’infinita serie di meme e battute sui “bollenti spiriti” di Snapdragon 810 potrebbe argomentare che all’epoca la situazione fu ancora più grave.