Al North America Technology Symposium 2022, TSMC ha dettagliato i suoi programmi per l’evoluzione nella produzione dei chip. Dall’attuale processo a 4 nanometri, si passerà ai 3 nanometri che l’azienda di Taiwan conta di presentare al pubblico entro fine 2022, per arrivare poi ai 2 nanometri in programma per il 2025, in corrispondenza dei quali dovrebbe esserci uno stravolgimento alla base con il passaggio dagli attuali transistor FinFET ai Nanosheet del futuro, i GAAFET.
3 NM SU QUATTRO LIVELLI, RIVOLUZIONE NEL 2025
Insomma, dal 2025 cambierà tanto ma fino ad allora la tecnologia del processo produttivo avanzerà in maniera costante. Il processo produttivo a 3 nanometri sarà declinato in quattro livelli, con una densità di transistor via via crescente e un conseguente aumento dell’efficienza tra uno step e l’altro, quindi del consumo a parità di potenza:
- N3
- N3E (Enhanced)
- N3P (Performance Enhanced)
- N3X (Ultra High Performance)
Poi nella seconda metà del 2025 arriverà N2 con processo produttivo a 2 nanometri. Essendo il nodo della “rivoluzione”, TSMC ha in programma un aumento controllato della densità dei transistor, che sarà maggiore di appena 1,1 volte rispetto al nodo N3E del 2023. Ma il solo passaggio dai FinFET ai GAAFET basterà a garantire un aumento tra il 10 e il 15% della velocità a parità di potenza o una riduzione della potenza a parità di velocità stimabile tra il 25 e il 30%.